Nviaid Tesla V100S發(fā)布:功耗不變性能提升

      發(fā)布時(shí)間:2019-12-11 08:46:02

            SC 2019超算大會(huì)期間,NVIDIA低調(diào)發(fā)布了新款頂級(jí)計(jì)算卡“Tesla V100S”,自然就是此前Tesla V100的升級(jí)版本

            Tesla V100最早發(fā)布于2017年5月份的GTC 2017圖形大會(huì)上,基于全新的Volta伏特架構(gòu)、GV100大核心,臺(tái)積電12nm工藝制造,集成210億個(gè)晶體管,面積達(dá)815平方毫米,擁有5120個(gè)CUDA核心、640個(gè)Tensor張量核心,最初基于SXM2形態(tài)(300GB/s NVLink總線),很快又增加了PCIe形態(tài)(32GB/s PCIe總線)。兩年多過去了,Tesla V100的地位依然無可撼動(dòng),而最新的Tesla V100S更進(jìn)一步,核心、顯存雙雙提速,但功耗卻沒變。

            Tesla V100S只有PCIe擴(kuò)展卡一種形態(tài),雙精度浮點(diǎn)性能8.2TFlops(萬億次浮點(diǎn)計(jì)算),單精度浮點(diǎn)性能16.4TFlops,深度學(xué)習(xí)性能130TFlops,相比于PCIe、SXM2版本的Tesla V100分別提升了最多17%、5%。

             顯存方面,依然采用HBM2,容量固定在32GB而不再提供16GB版本,位寬仍為4096-bit,頻率從1.75GHz加速到2.21GHz,帶寬也從900GB/s增加到1134GB/s。

      不過大幅提速的同時(shí),Tesla V100S的功耗依然維持在250W,顯然無論制造工藝還是核心架構(gòu)都更加成熟。


            此外,從外觀看,Tesla V100S的“肩部”底色從草綠色變成了土豪金色,很容易分辨。

      国产不卡一区二区三区免费视